Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (8) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Druzhynin A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8 |
|||
| 1. | 
Druzhynin A. A Strain Sensor Resistant to Proton Irradiation [Електронний ресурс] / A. Druzhynin, Y. Khoverko, I. Ostrovkyi, A. Vuitsyk // Computational problems of electrical engineering. - 2012. - Vol. 2, № 2. - С. 13-16. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2012_2_2_5 | ||
| 2. |
Druzhynin A. A Measuring System Based on Sensors of Magnetic Field and Temperature with Digital Signal Processing [Електронний ресурс] / A. Druzhynin, S. Nichkalo, Y. Berezhanskyi // Computational problems of electrical engineering. - 2012. - Vol. 2, № 2. - С. 17-20. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2012_2_2_6 The paper deals with the investigation of electro-physical properties of Si | ||
| 3. |
Druzhynin A. Accelerometer sensing element based on nanostructured silicon [Електронний ресурс] / A. Druzhynin, I. Kogut, Y. Khoverko, V. Golota // Computational problems of electrical engineering. - 2013. - Vol. 3, № 1. - С. 11-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2013_3_1_5 | ||
| 4. |
Druzhynin A. InSb Microcrystals for Sensor Electronics [Електронний ресурс] / A. Druzhynin, I. Ostrovskyi, Yu. Khoverko, I. Khytruk, K. Rogacki // Computational problems of electrical engineering. - 2014. - Vol. 4, № 1. - С. 1-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2014_4_1_3 Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в n-InSb з концентрацією дефектів 3 x 1017 см-3. У межах точного розв'язку стаціонарного рівняння Больцмана на базі принципу близькодії розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4,2 - 500 K. Встановлено добре узгодження теорії та експерименту у дослідженому інтервалі температур. На основі ниткоподібних кристалів InSb розроблено холлівський датчик, дієздатний у широкому температурному інтервалі 4,2 - 500 K і в області високих магнітних полів (до 10 Тл) з чутливістю ~ 3,5 мВ/Tл. | ||
| 5. | 
Limarenko A. M. The Optimization Of Car Engine Piston-Rod By Numerical Method [Електронний ресурс] / A. M. Limarenko, V. V. Khamray, A. A. Druzhynin // Вісник Одеської державної академії будівництва та архітектури. - 2015. - Вип. 60. - С. 440-443. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vodaba_2015_60_71 | ||
| 6. |
Druzhynin A. Low Temperature Performances of Doped GaSb Whiskers [Електронний ресурс] / A. Druzhynin, I. Ostrovskyi, Y. Khoverko, I. Khytruk, N. Liakh-Kaguy // Computational problems of electrical engineering. - 2015. - Vol. 5, № 2. - С. 75-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2015_5_2_3 Проведено вимірювання температурних залежностей опору ниткоподібних кристалів (НК) GaSb n-типу в температурному діапазоні 1,5 - 300 К і магнітному полі до 14 Тл. Спостерігалось різке (стрибкоподібне) падіння опору в НК за температури 4,2 К. Можливою причиною появи надпровідного стану в ниткоподібних мікрокристалах може бути виникнення слабкої антилокалізації та відповідно негативного магнетоопору. Встановлено, що магнетоопір досліджуваних НК можна описати двовимірною моделлю слабкої антилокалізації в магнітному полі. | ||
| 7. |
Druzhynin A. Physical Quantity Sensors of Extended Functionality Based on Silicon Whiskers [Електронний ресурс] / A. Druzhynin, O. Kutrakov, Y. Khoverko, S. Yatsukhnenko // Computational problems of electrical engineering. - 2016. - Vol. 6, № 2. - С. 67-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2016_6_2_4 Розглянуто конструктивно-технологічні особливості створення чутливого елемента давача фізичних величин із розширеними функціональними можливостями на основі ниткоподібних кристалів (НК) кремнію p-типу провідності з домішкою бору вирощених механізмом пара - рідина - кристал. Проведено дослідження впливу питомого опору НК Si на температурну залежність вихідного сигналу. Одержано результати комп'ютерного моделювання розподілу температурного поля для розрахунку стаціонарного та динамічного випадків у разі варіювання як геометрії розміщення контактів, так і значеннями коефіцієнтів теплопровідності ізолювального матеріалу та навколишнього середовища. Аналіз комп'ютерного моделювання розподілу механічних напружень і деформацій в елементах давача тиску, зокрема термічних навантажень і деформації проводили для врахування впливу температурних напружень на точність вимірювання давача механічних величин і можливості виділення інформації про температуру вимірюваного середовища для багатофункційних сенсорів. Визначено температурний інтервал роботи давача (213 - 423 K) і можливі галузі використання. Запропоновано схему оцифровування для подальшого оброблення сигналу. | ||
| 8. |
Druzhynin A. Informational Measuring System with Wireless Data Transferring for Sensors of Physical Values [Електронний ресурс] / A. Druzhynin, O. Kutrakov, S. Nichkalo // Computational problems of electrical engineering. - 2022. - Vol. 12, № 2. - С. 26-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2022_12_2_7 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |